Метализирани филм ИГБТ Снуббер кондензатор

Кратак опис:

1. Пластично кућиште, запечаћено смолом;

2. Полуђени бакарни умеци, лака инсталација за ИГБТ;

3. Отпорност на високи напон, низак тгδ, ниски пораст температуре;

4. низак ЕСЛ и ЕСР;

5. Висока импулсна струја.

Пошаљите нам емаил Преузмите као ПДФ

Детаљи о производу

Ознаке производа

СМЈ-П серија

У апликацијама енергетске електронике, снуббер кондензатор је повезан са комутационим чвором велике струје у сврху смањења паразитне индуктивности електричних инсталација.

Паразитна индуктивност изазива велики пренапон при искључењу (када је струја блокирана), и ако такви удари пређу оцене компоненти, постоји забринутост за последични квар у најгорем случају.

Коришћењем унутрашњих конструкција ниске индуктивности, опционих кућишта од ливене смоле и прилагођених завршетака, СМЈ-П серија је дизајнирана за брзо пребацивање ИГБТС-а и може да служи као пригушивач и високофреквентни улазни филтери високе струје.

Технички Подаци

Волтажа	Ун 700В.ДЦ,Урмс400Вац;Ус1050В
	Димензија (мм)
Цн(μФ)	Л(±1)	Т(±1)	Х(±1)	ЕСР @ 100КХз (мΩ)	ЕСЛ(нХ)	дв/дт (В/μС)	Ипк(А)	Ирмс @40℃ @100КХз (А)
0,47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0,68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496. године	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
Волтажа	Ун 1000В.ДЦ,Урмс500Вац;Ус1500В
	Димензија (мм)
Цн(μФ)	Л(±1)	Т(±1)	Х(±1)	ЕСР (мΩ)	ЕСЛ(нХ)	дв/дт(В/μС)	Ипк(А)	Ирмс
0,47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0,68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815. године	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
Волтажа	Ун 1200В.ДЦ,Урмс550Вац;Ус1800В
Цн(μФ)	Л(±1)	Т(±1)	Х(±1)	ЕСР (мΩ)	ЕСЛ(нХ)	дв/дт(В/μС)	Ипк(А)	Ирмс
0,47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0,68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815. године	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
Волтажа	Ун 1700В.ДЦ,Урмс575Вац;Ус2250В
Цн(μФ)	Л(±1)	Т(±1)	Х(±1)	ЕСР (мΩ)	ЕСЛ(нХ)	дв/дт(В/μС)	Ипк(А)	Ирмс
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0,47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0,68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
Волтажа	Ун 2000В.ДЦ,Урмс700Вац;Ус3000В
Цн(μФ)	Л(±1)	Т(±1)	Х(±1)	ЕСР (мΩ)	ЕСЛ(нХ)	дв/дт(В/μС)	Ипк(А)	Ирмс
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0,47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0,68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
Волтажа	Ун 3000В.ДЦ,Урмс750Вац;Ус4500В
Цн(μФ)	Л(±1)	Т(±1)	Х(±1)	ЕСР (мΩ)	ЕСЛ(нХ)	дв/дт(В/μС)	Ипк(А)	Ирмс
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0,47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28