Снуббер филмског кондензатора високе струје за машину за заваривање (СМЈ-ТЦ)

Снуббер филмског кондензатора високе струје за апарат за заваривање (СМЈ-ТЦ) Истакнута слика

Кратак опис:

Модел кондензатора: СМЈ-ТЦ

Карактеристике:

1. Електроде бакарних матица

2. Мала физичка величина и једноставна инсталација

3. Технологија намотавања милар траке

4. Суво пуњење смоле

5. Ниска еквивалентна серијска индуктивност (ЕСЛ) и еквивалентна серијска отпорност (ЕСР)

Пријаве:

1. ГТО Снуббер

2. Апсорпција вршног напона и вршне струје и заштита за склопну компоненту у електронској опреми

Снуббер кола су неопходна за диоде које се користе у прекидачким колима.Може спасити диоду од скокова пренапона, који могу настати током процеса обрнутог опоравка.

Пошаљите нам емаил Преузмите као ПДФ

Детаљи о производу

Ознаке производа

Технички Подаци

Опсег радне температуре	Мак.Радна температура.,Топ,мак: + 85℃ Температура горње категорије: +85℃ Температура доње категорије: -40℃
опсег капацитивности	0,22～3μФ
Напон	3000В.ДЦ～10000В.ДЦ
Цап.тол	±5%(Ј) ;±10%(К)
Издржи напон	1.35Ун ДЦ/10С
Фактор дисипације	тгδ≤0,001 ф=1КХз
Отпор изолације	Ц≤0,33μФ РС≥15000 МΩ (на 20℃ 100В.ДЦ 60С) Ц＞0,33μФ РС*Ц≥5000С (на 20℃ 100В.ДЦ 60С)
Издржати ударну струју	погледајте таблицу са подацима
Очекивано трајање живота	100000х (Ун; Θхотспот≤70°Ц)
Референтни стандард	ИЕЦ 61071;

одлика

1. Милар трака, запечаћена смолом;

2. Водови од бакарне матице;

3. Отпорност на високи напон, низак тгδ, ниски пораст температуре;

4. низак ЕСЛ и ЕСР;

5. Висока импулсна струја.

Апликација

1. ГТО Снуббер.

2. Широко се користи у енергетској електронској опреми када је вршни напон, заштита од апсорпције вршне струје.

Типично коло

Графички приказ

Спецификација

Ун=3000В.ДЦ
Капацитет (μФ)	φД (мм)	Л(мм)	Л1 (мм)	ЕСЛ(нХ)	дв/дт(В/μС)	Ипк(А)	Ирмс(А)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Ун=6000В.ДЦ
Капацитет (μФ)	φД (мм)	Л(мм)	Л1 (мм)	ЕСЛ(нХ)	дв/дт(В/μС)	Ипк(А)	Ирмс(А)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Ун=7000В.ДЦ
Капацитет (μФ)	φД (мм)	Л(мм)	Л1 (мм)	ЕСЛ(нХ)	дв/дт(В/μС)	Ипк(А)	Ирмс(А)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Ун=8000В.ДЦ
Капацитет (μФ)	φД (мм)	Л(мм)	Л1 (мм)	ЕСЛ(нХ)	дв/дт(В/μС)	Ипк(А)	Ирмс(А)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Ун=10000В.ДЦ
Капацитет (μФ)	φД (мм)	Л(мм)	Л1 (мм)	ЕСЛ(нХ)	дв/дт(В/μС)	Ипк(А)	Ирмс(А)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70